BY25FQM512ESWIG(R)

Part Number:
BY25FQM512ESWIG(R)
Category:
-
Manufacturer:
BYTe Semiconductor
Description:
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Encapsulation:
-
Package:
Tape & Reel (TR)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:

MOQ: 3000

Qty Price Total
3000+ $2.64 $7920

Product Parameters

Statut de la pièce Active
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Grade -
Qualification -
Type de mémoire Non-Volatile
Tension d'alimentation 2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire FLASH
Boîtier 8-WDFN Exposed Pad
Technologie FLASH - NOR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Taille de la mémoire 512Mbit
Organisation de la mémoire 64M x 8
Temps d'accès 5 ns
Fournisseur Dispositif Emballage 8-WSON (5x6)
Interface de mémoire SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Temps d'Écriture - Mot, Page 100µs, 2.4ms