BY25FQM512ESWIG(R)

Part Number:
BY25FQM512ESWIG(R)
Category:
-
Manufacturer:
BYTe Semiconductor
Description:
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Encapsulation:
-
Package:
Tape & Reel (TR)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:

MOQ: 3000

Qty Price Total
3000+ $2.64 $7920

Product Parameters

Estado de la Pieza Active
Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje Surface Mount
Grado -
Calificación -
Tipo de Memoria Non-Volatile
Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
Formato de Memoria FLASH
Paquete / Carcasa 8-WDFN Exposed Pad
Tecnología FLASH - NOR
Frecuencia de Reloj 166 MHz
Tamaño de la Memoria 512Mbit
Organización de la Memoria 64M x 8
Tiempo de Acceso 5 ns
Proveedor Dispositivo Paquete 8-WSON (5x6)
Interfaz de Memoria SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 100µs, 2.4ms